Silicon Motion Technology объявила о запуске нового семейства контроллеров UFS 2.1 — полной линейки продуктов, поддерживающей UFS HS-Gear3x1L и HS-Gear3x2L, которые позволяют использовать высокопроизводительные, емкие и маломощные встроенные модули памяти для мобильных телефонов, пишет Digitimes.
Разработанное с применением запатентованной Silicon Motion архитектуры MIPI M-PHY с низким энергопотреблением и усовершенствованного корректирующего кода малой плотности с контролем по четности для поддержки логической операции 3D-NAND, семейство контроллеров UFS 2.1 обеспечивает сверхвысокую произвольную производительность записи/считывания до 50 000/40 000 операций ввода-вывода в секунду, емкость до 512 Гб и ультранизкое энергопотребление для флагманских и серийных смартфонов.
UFS — это стандарт встроенной памяти последнего поколения для мобильных приложений, по определению JEDEC (Объединенный совет по электронным устройствам). Стандарт UFS имеет последовательный интерфейс MIPI M-PHY с моделью архитектуры SCSI (стандарт SAM), который обеспечивает высокопроизводительное, энергосберегающее и объемное встроенное хранилище, крайне важное для многозадачности и мультимедийности современных смартфонов. Silicon Motion заявила, что ее новейшие контроллеры UFS 2.1 обеспечивают производительность последовательного и произвольного считывания/записи в 3 раза выше, чем контроллеры eMMC 5.1.
Уолтер Кун, директор по исследованиям флэш-технологий NAND в IHS Markit, отметил, что «UFS, как ожидается, станет доминирующей спецификацией флеш-памяти в следующие 5 лет, вытеснив eMMC. Преимущества UFS над eMMC наиболее заметны при высоких плотностях NAND, т.е. 128 и 256 Гб. Высокопроизводительные мультимедийные возможности сегодня являются краеугольным камнем для мобильных устройств, и для добавления функций 4K и AR/VR потребуются более мощные и производительные встроенные модули памяти UFS для большинства смартфонов».
Silicon Motion в настоящее время выбирает ОЕМ-партнеров NAND, а начало производства UFS 2.1 ожидается позднее в 2017 году.