Toshiba начинает производство новых МОП-транзисторов DTMOS IV со встроенными быстродействующими диодами

TK62N60W5 и TK5P60W5 предназначены для использования в высокоэффективных источниках питания.

Компания Toshiba Electronics Europe расширила ассортимент МОП-транзисторов DTMOS IV на 600 В со встроенными быстродействующими диодами для использования в высокоэффективных источниках питания и системах управления электродвигателями с мостовой или полумостовой схемой. Время обратного восстановления HSD-диодов подвержено лишь незначительному влиянию температуры, поэтому быстрое переключение обеспечивается в широком диапазоне температур.


Транзистор TK5P60W5 выпускается в миниатюрном корпусе DPAK (TO-252), а типовое время обратного восстановления его диода trr достигает 65 нс. Модель TK62N60W5 стала самым большим МОП-транзистором серии в корпусе TO-247 с тремя выводами и максимальной выходной мощностью. Время обратного восстановления его диода trr составляет 170 нс.


Кристаллы DTMOS IV-H изготавливаются по технологии Deep Trench компании Toshiba, обеспечивающей более низкое сопротивление в открытом состоянии при повышенных температурах по сравнению с традиционными МОП-транзисторами на основе технологии Super Junction. Эта технология также обеспечивает снижение потерь при отключении по сравнению с технологиями предыдущих поколений.


В настоящее время серийное производство TK62N60W5 уже запущено, вскоре начнется и серийное производство TK5P60W5.

@ASTERA: Новости IT и финансов