Samsung презентовала 3-нанометровый кристалл SRAM плотностью 256 Мбит

Переход на более тонкий техпроцесс стал возможен за счёт создания GAAFET и MBCFET транзисторов.

Южнокорейская компания Samsung показала кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с новой технологией реализации транзисторов. Презентация прошла на конференции IEEE.
Новые чипы выполнены по 3-нанометровым технологическим нормам. Переход на более тонкий техпроцесс стал возможен за счёт создания GAAFET и MBCFET транзисторов.

Первые представляют собой тонкие провода внутри чипа, а второй – горизонтальные мостики. И GAAFET, и MBCFET призваны заменить ныне распространённые FinFET транзисторы с вертикальным затвором.

Представители Samsung отметили, что благодаря новому техпроцессу удалось снизить энергопотребление и тепловыделение. При этом площадь одного чипа памяти составляет 56 мм^2.

Первые образцы чипов SRAM были произведены в январе 2020 года, а запуск в массовое производство и продажи чипов с применением GAAFET и MBCFET транзисторов ожидается в 2022 году.

Samsung презентовала 3-нанометровый кристалл SRAM плотностью 256 Мбит

ASTERA