Южнокорейская компания Samsung анонсировала новые модули памяти стандарта DDR5 с невероятно большим объёмом – 512 Гб.
Память будет изготовляться по технологии HKMG. Она позволяет использовать диэлектрик с высокой диэлектрической постоянной при металлических затворах транзисторов.
Размещение столь огромного количества памяти на одном модуле стало возможным благодаря восьмислойным чипам DRAM объёмом 16 Гб каждый.
Все они объединены с помощью платы с объёмной технологией межслойного соединения.
По заявлениям Samsung, один такой модуль имеет скорость передачи данных 7200 Мбит\с, что в два раза больше, чем у серверных модулей DDR4.
Новинки предназначены для суперкомпьютеров или систем с использованием машинного обучения.