Предстоящий чип Snapdragon 8 Elite может столкнуться с проблемами перегрева.
Согласно тестам, базовая версия чипа имеет частоту 2,78 ГГц, а в режиме Boost достигает 4,09 ГГц. При этом он потребляет более 20 Вт мощности и может нагреваться до 98,5 °C даже при обычной работе.
К сожалению, снизить энергопотребление и температуру не удалось никакими методами. Для сравнения, разогнанные версии чипов, использующихся в Galaxy S25, показывают частоты 2,90/4,19 ГГц и 3,53/4,47 ГГц, что уже считается высоким результатом для мобильных процессоров.
Стоит отметить, что тестирование могло проводиться на инженерных версиях чипов, и замеры делались около трёх месяцев назад. Возможно, за это время Qualcomm провела работы по оптимизации производительности и температуры.