Компания IBM объявила о важном достижении в области разработки полупроводниковой продукции и представила первый тестовый чип, выполненный по 7-нанометрововй технологии с функциональными транзисторами. Модель разработана IBM в сотрудничестве с GlobalFoundries, Samsung и STMicroelectronics. Технология позволит размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей.
Для создания чипа по 7-нанометровой технологии с более высокими показателями производительности, низким энергопотреблением и улучшенным масштабированием исследователям пришлось отказаться от традиционных методов производства полупроводниковой техники. Разработка наночипа потребовала использования ряда передовых инноваций, например, кремний-германиевых канальных транзисторов и многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой литографии, которые были впервые применены исследовательским центром IBM Research совместно с партнерами. Новые наночипы стали результатом 3 млрд долларов инвестиций, объявленных IBM в 2014 году, которые в течение 5 лет компания планирует вложить в научные исследования и разработку чипов.
«Преимущества, которые можно получить при использовании 7-нм или более инновационных технологических процессов производства чипов для будущих моделей компьютеров и других электронных устройств, крайне важны для бизнеса и общества, — отметил Арвид Кришна, старший вице-президент и руководитель IBM Research. — Именно поэтому компания IBM продолжает придерживаться принципа динамичных базовых исследований, что позволяет ей постоянно раздвигать границы возможного в сфере полупроводниковых технологий».
Сегодня микропроцессоры, изготовленные по 22-нм и 14-нм технологии, используются в серверах, облачных ЦОДах и мобильных устройствах. Кроме того, постепенно осваивается и внедряется производство чипов по нормам 10-нм технопроцесса. IBM удалось достичь увеличения плотности размещения элементов по отношению к 10-нм технологическому процессу почти на 50%. Такой результат получен за счет применения кремний-германиевых материалов для увеличения производительности транзисторов, а также за счет внедрения технологических новшеств для уменьшения шага между элементами до 30-нм и полной интеграции многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой литографии. Эти достижения способны привести как минимум к 50-процентному улучшению соотношения производительности к энергопотреблению в следующих поколениях систем, предназначенных для обработки больших данных, облачных и мобильных вычислений.
