Американская корпорация IBM в сотрудничестве с GlobalFoundries и южнокорейской компанией Samsung разработала процесс изготовления полупроводниковых чипов с транзисторами размером 5 нм и изготовила первые образцы чипов по новому техпроцессу. Сообщение об этом было опубликовано на сайте IBM.
Как пишет 3DNews, новая технология позволяет размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 30 млрд транзисторов и использовать их в самых разных устройствах — от смартфонов до космических кораблей. Для сравнения, первые в мире 7-нм чипы, которые компания анонсировала два года назад, имели 20 млрд транзисторов.
В компании отмечают, что более высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. Представители IBM сообщили, что 5-нм решения на 40% производительнее нынешних производимых серийно 10-нм чипов и на 75% энергоэффективнее их при одинаковом быстродействии. Например, применение новых чипов в смартфонах в перспективе позволит в два-три раза продлить время автономной работы устройств.
О точных сроках начала серийного выпуска 5-нм чипов не сообщается. Предположительно, они могут выйти на рынок в 2020 году.
Отметим, что успех IBM вновь подтвердил на практике так называемый закон Мура, согласно которому количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые два года, однако в данном случае количество транзисторов увеличилось лишь в полтора раза, что свидетельствует о скором достижении предела физических размеров транзисторов.